Антава

VISHAY

Транзистор SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
105 A
Pulsed drain current
200 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 944 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%286,57 ₽

Сумма · с НДС 22%286,57 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1286,57 ₽
от 5247,49 ₽
от 10227,02 ₽
от 25200,97 ₽
от 100182,36 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIRA52ADP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current105 A
Pulsed drain current200 A
Рассеиваемая мощность30.7 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance2.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.1µC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A

Документация

Документы пока не предоставлены.