Антава

VISHAY

Транзистор SIRA28BDP-T1-GE3

SIRA28BDP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
90 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 267 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%184,60 ₽

Сумма · с НДС 22%184,60 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1184,60 ₽
от 10100,69 ₽
от 5081,86 ₽
от 10074,96 ₽
от 50059,48 ₽
от 100053,51 ₽
от 300049,79 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIRA28BDP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current30 A
Pulsed drain current90 A
Рассеиваемая мощность11 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance12 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W

Документация

Документы пока не предоставлены.