Антава

VISHAY

Транзистор SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
26.3 A
Pulsed drain current
70 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIRA18DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current26.3 A
Pulsed drain current70 A
Power dissipation9.4 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance12 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 26.3A; Idm: 70A

Документация

Документы пока не предоставлены.