Антава

VISHAY

Транзистор SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
24.5 A
Pulsed drain current
70 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 567 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%184,25 ₽

Сумма · с НДС 22%184,25 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1184,25 ₽
от 10119,10 ₽
от 5083,96 ₽
от 10073,32 ₽
от 50056,03 ₽
от 100051,29 ₽
от 300045,59 ₽
от 600042,93 ₽
от 900041,60 ₽
от 2100039,51 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIRA18ADP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current24.5 A
Pulsed drain current70 A
Power dissipation9.4 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance13.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A

Документация

Документы пока не предоставлены.