Антава

VISHAY

Транзистор SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
46 A
Pulsed drain current
130 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 930 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%211,80 ₽

Сумма · с НДС 22%211,80 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1211,80 ₽
от 10117,71 ₽
от 5093,53 ₽
от 10084,91 ₽
от 50068,04 ₽
от 100061,85 ₽
от 250054,73 ₽
от 300053,61 ₽
от 600051,73 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIRA14DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current46 A
Pulsed drain current130 A
Рассеиваемая мощность20 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance8.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W

Документация

Документы пока не предоставлены.