Антава

VISHAY

Транзистор SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
60 A
Pulsed drain current
140 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 300 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%325,59 ₽

Сумма · с НДС 22%325,59 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1325,59 ₽
от 5248,14 ₽
от 10213,85 ₽
от 50153,36 ₽
от 100135,82 ₽
от 250119,06 ₽
от 500110,59 ₽
от 1000106,54 ₽
от 3000102,30 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIRA10DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current60 A
Pulsed drain current140 A
Power dissipation26 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge51nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W

Документация

Документы пока не предоставлены.