VISHAY

Транзистор SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 60 A
Pulsed drain current: 150 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIRA10BDP-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	60 A
Pulsed drain current	150 A
Рассеиваемая мощность	28 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	-16...20 V
On-state resistance	5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	36.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 150A; 28W

Документация

Документы пока не предоставлены.