Антава

VISHAY

Транзистор SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
40 A
Pulsed drain current
80 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 973 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%265,87 ₽

Сумма · с НДС 22%265,87 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1265,87 ₽
от 10215,01 ₽
от 100160,68 ₽
от 250142,76 ₽
от 500130,62 ₽
от 1000119,83 ₽
от 1300116,17 ₽
от 3000105,00 ₽
от 600097,48 ₽
от 900095,17 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIRA06DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current40 A
Pulsed drain current80 A
Power dissipation40 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance3.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge77nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W

Документация

Документы пока не предоставлены.