VISHAY

Транзистор SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 50 A
Pulsed drain current: 100 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIRA02DP-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	50 A
Pulsed drain current	100 A
Рассеиваемая мощность	45.7 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	-16...20 V
On-state resistance	2.7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	117nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 100A

Документация

Документы пока не предоставлены.