VISHAY

Транзистор SIRA01DP-T1-GE3

PowerPAK® SO8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -20.8 A
Pulsed drain current: -150 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIRA01DP-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-20.8 A
Pulsed drain current	-150 A
Power dissipation	40 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	-20...16 V
On-state resistance	8.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	112nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W

Документация

Документы пока не предоставлены.