VISHAY

Транзистор SIR873DP-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -37A
Pulsed drain current: 50A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SIR873DP-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-150V
Drain current	-37A
Pulsed drain current	50A
Power dissipation	66.6W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	47.5mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	48nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -37A; Idm: 50A

Документация

Документы пока не предоставлены.