VISHAY

Транзистор SIR770DP-T1-GE3

PowerPAK® SO8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 8 A
Pulsed drain current: 35 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIR770DP-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2 + Schottky
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	8 A
Pulsed drain current	35 A
Power dissipation	17.8 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	25 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	21nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A

Документация

Документы пока не предоставлены.