Антава

VISHAY

Транзистор SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
24.2 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIR696DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current24.2 A
Pulsed drain current50 A
Power dissipation104 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance67 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge40nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 24.2A; Idm: 50A

Документация

Документы пока не предоставлены.