Антава

VISHAY

Транзистор SIR688DP-T1-GE3

SIR688DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
60 A
Pulsed drain current
100 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIR688DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current60 A
Pulsed drain current100 A
Рассеиваемая мощность83 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge66nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 100A; 83W

Документация

Документы пока не предоставлены.