Антава

VISHAY

Транзистор SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
60A
Pulsed drain current
200A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIR670DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current60A
Pulsed drain current200A
Power dissipation56.8W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance7.8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge63nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 200A

Документация

Документы пока не предоставлены.