Антава

VISHAY

Транзистор SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
350 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIR662DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current100 A
Pulsed drain current350 A
Power dissipation66.6 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge96nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 100A; Idm: 350A

Документация

Документы пока не предоставлены.