Антава

VISHAY

Транзистор SIR626LDP-T1-UE3

SIR626LDP-T1-UE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
186 A
Корпус
PowerPAK® SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIR626LDP-T1-UE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current186 A
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge89nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A

Документация

Документы пока не предоставлены.