Антава

VISHAY

Транзистор SIR626LDP-T1-RE3

SIR626LDP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
186 A
Pulsed drain current
400 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 424 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%410,49 ₽

Сумма · с НДС 22%410,49 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1410,49 ₽
от 10294,28 ₽
от 100226,80 ₽
от 250206,18 ₽
от 500204,31 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIR626LDP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current186 A
Pulsed drain current400 A
Рассеиваемая мощность104 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge135nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A

Документация

Документы пока не предоставлены.