Антава

VISHAY

Транзистор SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
34.2 A
Рассеиваемая мощность
4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIR626DP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current34.2 A
Рассеиваемая мощность4 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge102nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 34.2A; 4W

Документация

Документ производителя