Антава

VISHAY

Транзистор SIR622DP-T1-RE3

SIR622DP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
51.6 A
Pulsed drain current
100 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 935 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%306,19 ₽

Сумма · с НДС 22%306,19 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1306,19 ₽
от 5266,74 ₽
от 10240,44 ₽
от 25204,75 ₽
от 50182,21 ₽
от 100169,06 ₽
от 500159,67 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIR622DP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current51.6 A
Pulsed drain current100 A
Рассеиваемая мощность104 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance20.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51.6A; Idm: 100A

Документация

Документы пока не предоставлены.