Антава

VISHAY

Транзистор SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
14.2 A
Pulsed drain current
30 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIR618DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current14.2 A
Pulsed drain current30 A
Power dissipation48 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 14.2A; Idm: 30A

Документация

Документы пока не предоставлены.