Антава

VISHAY

Транзистор SIR5812DP-T1-RE3

SIR5812DP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
36.2 A
Pulsed drain current
70 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIR5812DP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current36.2 A
Pulsed drain current70 A
Рассеиваемая мощность50 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 36.2A; Idm: 70A

Документация

Документы пока не предоставлены.