VISHAY

Транзистор SIR576DP-T1-RE3

SIR576DP-T1-RE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150 V
Drain current: 42.2 A
Pulsed drain current: 120 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIR576DP-T1-RE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	150 V
Drain current	42.2 A
Pulsed drain current	120 A
Рассеиваемая мощность	71.4 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	17 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	38nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 42.2A; Idm: 120A

Документация

Документы пока не предоставлены.