Антава

VISHAY

Транзистор SIR576DP-T1-BE3

SIR576DP-T1-BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
33.8 A
Pulsed drain current
120 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIR576DP-T1-BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current33.8 A
Pulsed drain current120 A
Power dissipation71.4 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance16 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 120A

Документация

Документы пока не предоставлены.