Антава

VISHAY

Транзистор SIR574DP-T1-BE3

SIR574DP-T1-BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
38.4 A
Pulsed drain current
150 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIR574DP-T1-BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current38.4 A
Pulsed drain current150 A
Power dissipation78 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 38.4A; Idm: 150A

Документация

Документы пока не предоставлены.