Антава

VISHAY

Транзистор SIR572DP-T1-BE3

SIR572DP-T1-BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
47.8 A
Pulsed drain current
180 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIR572DP-T1-BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current47.8 A
Pulsed drain current180 A
Power dissipation92.5 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge27nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 47.8A; Idm: 180A

Документация

Документы пока не предоставлены.