Антава

VISHAY

Транзистор SIR5710DP-T1-RE3

SIR5710DP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Drain-source voltage
150 V
Drain current
26.8 A
Корпус
PowerPAK® SO8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%145,26 ₽

Сумма · с НДС 22%435 780,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 3000145,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIR5710DP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Drain-source voltage150 V
Drain current26.8 A
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance31.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; 150V; 26.8A; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.