VISHAY

Транзистор SIR5607DP-T1-UE3

PowerPAK® SO8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -72.7 A
Pulsed drain current: -250 A
Рассеиваемая мощность: 104 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIR5607DP-T1-UE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-72.7 A
Pulsed drain current	-250 A
Рассеиваемая мощность	104 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -72.7A; Idm: -250A; 104W

Документация

Документы пока не предоставлены.