Антава

VISHAY

Транзистор SIR514DP-T1-BE3

SIR514DP-T1-BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
67.8 A
Pulsed drain current
250 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIR514DP-T1-BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current67.8 A
Pulsed drain current250 A
Power dissipation83.3 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 67.8A; Idm: 250A

Документация

Документы пока не предоставлены.