VISHAY

Транзистор SIR5102DP-T1-RE3

SIR5102DP-T1-RE3

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SIR5102DP-T1-RE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100V
Drain current	110A
Pulsed drain current	300A
Power dissipation	104W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	5.6mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	51nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 110A; Idm: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.