Антава

VISHAY

Транзистор SIR4608LDP-T1-GE3

SIR4608LDP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Drain-source voltage
60 V
Рассеиваемая мощность
39 W
Корпус
PowerPAK® SO8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%142,53 ₽

Сумма · с НДС 22%427 590,00 ₽

От 3000 шт. · шаг 3000

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 3000142,53 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIR4608LDP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Drain-source voltage60 V
Рассеиваемая мощность39 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; 60V; 39W; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.