Антава

VISHAY

Транзистор SIR4602LDP-T1-RE3

SIR4602LDP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
52.1 A
Pulsed drain current
150 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIR4602LDP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current52.1 A
Pulsed drain current150 A
Power dissipation43 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 52.1A; Idm: 150A

Документация

Документы пока не предоставлены.