Антава

VISHAY

Транзистор SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
70 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIR424DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current30 A
Pulsed drain current70 A
Power dissipation41.7 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge35nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 30A; Idm: 70A

Документация

Документы пока не предоставлены.