Антава

VISHAY

Транзистор SIR186LDP-T1-RE3

SIR186LDP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
80.3 A
Pulsed drain current
150 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 898 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%324,97 ₽

Сумма · с НДС 22%324,97 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1324,97 ₽
от 10131,68 ₽
от 25118,53 ₽
от 50112,71 ₽
от 100108,57 ₽
от 500103,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIR186LDP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current80.3 A
Pulsed drain current150 A
Рассеиваемая мощность57 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge48nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 80.3A; Idm: 150A

Документация

Документы пока не предоставлены.