Антава

VISHAY

Транзистор SIR184LDP-T1-RE3

SIR184LDP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Drain-source voltage
60 V
Drain current
73 A
Корпус
PowerPAK® SO8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIR184LDP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Drain-source voltage60 V
Drain current73 A
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; 60V; 73A; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.