Антава

VISHAY

Транзистор SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
60 A
Pulsed drain current
400 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIR158DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current60 A
Pulsed drain current400 A
Power dissipation83 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge130nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W

Документация

Документы пока не предоставлены.