Антава

VISHAY

Транзистор SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
133 A
Pulsed drain current
200 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIR112DP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current133 A
Pulsed drain current200 A
Power dissipation62.5 W
КорпусPowerPAK® SO8
On-state resistance2.65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge89nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A

Документация

Документы пока не предоставлены.