Антава

VISHAY

Транзистор SIR106ADP-T1-RE3

SIR106ADP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
65.8A
Pulsed drain current
150A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIR106ADP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current65.8A
Pulsed drain current150A
Power dissipation83.3W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance9mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge52nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 65.8A; Idm: 150A

Документация

Документы пока не предоставлены.