VISHAY

Транзистор SIJK5100E-T1-GE3

PowerPAK® 1012Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 417 A
Корпус: PowerPAK® 1012

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIJK5100E-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	417 A
Корпус	PowerPAK® 1012
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	1.4 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	131nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 417A

Документация

Документы пока не предоставлены.