VISHAY

Транзистор SIJH5100E-T1-GE3

PowerPAK® 8x8LИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 277 A
Pulsed drain current: 500 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIJH5100E-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	277 A
Pulsed drain current	500 A
Power dissipation	333 W
Корпус	PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	2.14 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	128nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 277A; Idm: 500A

Документация

Документы пока не предоставлены.