Антава

VISHAY

Транзистор SIJH440E-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
200 A
Рассеиваемая мощность
158 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIJH440E-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current200 A
Рассеиваемая мощность158 W
КорпусPowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance0.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge279nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; 158W

Документация

Документы пока не предоставлены.