VISHAY

Транзистор SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 60 A
Pulsed drain current: 150 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIJA52DP-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	60 A
Pulsed drain current	150 A
Power dissipation	48 W
Корпус	PowerPAK® SO8
On-state resistance	2.3 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	150nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A; 48W

Документация

Документы пока не предоставлены.