Антава

VISHAY

Транзистор SIJA22DP-T1-GE3

SIJA22DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25 V
Drain current
201 A
Рассеиваемая мощность
48 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIJA22DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25 V
Drain current201 A
Рассеиваемая мощность48 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance0.74 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge83nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 201A; 48W

Документация

Документы пока не предоставлены.