Антава

VISHAY

Транзистор SIJ438ADP-T1-GE3

SIJ438ADP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
169 A
Pulsed drain current
300 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIJ438ADP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current169 A
Pulsed drain current300 A
Рассеиваемая мощность69.4 W
КорпусPowerPAK® SO8
On-state resistance1.75 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge162nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 169A; Idm: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.