Антава

VISHAY

Транзистор SIJ188DP-T1-GE3

SIJ188DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
92.4 A
Pulsed drain current
150 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIJ188DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current92.4 A
Pulsed drain current150 A
Power dissipation65.7 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 92.4A; Idm: 150A

Документация

Документы пока не предоставлены.