Антава

VISHAY

Транзистор SIJ128LDP-T1-GE3

SIJ128LDP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
25.5 A
Pulsed drain current
70 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIJ128LDP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current25.5 A
Pulsed drain current70 A
Power dissipation22.3 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance20.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 25.5A; Idm: 70A

Документация

Документы пока не предоставлены.