Антава

VISHAY

Транзистор SIHW61N65EF-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
41A
Pulsed drain current
199A
Power dissipation
520W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHW61N65EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current41A
Pulsed drain current199A
Power dissipation520W
КорпусTO247AD
Gate-source voltage±30V
On-state resistance47mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge371nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD

Документация

Документы пока не предоставлены.