VISHAY

Транзистор SIHU7N60E-GE3

IPAK, TO251Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600 V
Drain current: 5 A
Pulsed drain current: 18 A
Power dissipation: 78 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIHU7N60E-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	600 V
Drain current	5 A
Pulsed drain current	18 A
Power dissipation	78 W
Корпус	IPAK, TO251
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	0.6 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	40nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.