VISHAY

Транзистор SIHU6N80AE-GE3

IPAK, TO251Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800 V
Drain current: 3.2 A
Pulsed drain current: 10 A
Power dissipation: 62.5 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIHU6N80AE-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	800 V
Drain current	3.2 A
Pulsed drain current	10 A
Power dissipation	62.5 W
Корпус	IPAK, TO251
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	0.95 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	22.5nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.