VISHAY

Транзистор SIHU5N50D-GE3

IPAK, TO251Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500 V
Drain current: 3.4 A
Pulsed drain current: 10 A
Power dissipation: 104 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIHU5N50D-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	500 V
Drain current	3.4 A
Pulsed drain current	10 A
Power dissipation	104 W
Корпус	IPAK, TO251
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	1.5 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	20nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W

Документация

Документы пока не предоставлены.